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FQA11N90C

  • 发布时间:2017-9-2 17:06:52
  • 所属类别:集成电路 » 集成电路
  • 公    司:深圳市柏新老虎机科技有限公司
  • 联 系 人:林小姐

FQA11N90C属性

  • 晶体管
  • TO-3P
  • FSC

FQA11N90C描述

IC描述:MOSFETN-CH900V11ATO-3P
FET类型:N沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):900V
电流-连续漏极(Id)(25℃时):11A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Vgs时(th)(最大值):5V@250μA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)(最大值):80nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):3290pF@25V
Vgs(最大值):±30V
功率耗散(最大值):300W(Tc)
不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):1.1欧姆@5.5A,10V
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
全新原装正品
深圳市柏新老虎机科技有限公司
联系人:林小姐
联系方式:0755-61352251/QQ2851099673


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