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UCC27424DR

发布时间:2017-9-11 15:17:00 访问次数:68 发布企业:


UCC27424DR高速双MOSFET驱动器的UCC27424DR系列可以将大的峰值电流传输到电容负载中。提供了三种标准逻辑选项——双反相、双反相、单反和单反相驱动。热增强有PowerPAD™MSOP包(DGN)大大降低了热阻提高长期可靠性。它也被提供在标准的soic - 8(D)或pdip - 8(P)包中。

使用一种固有的最小化射击电流的设计,在MOSFET转换转换过程中,这些驱动程序提供了4A电流,这是在米勒高原地区最需要的。一个独特的双极和MOSFET混合输出阶段同时也允许有效的电流源和在低供应电压下下沉。

UCC27424DR提供了启用(ENB)函数,以更好地控制驱动程序应用程序的操作。ENBA和ENBB是在1号和8号上执行的,之前在行业标准pin - out中没有使用。它们在内部被拉到VDD中,用于活跃的高逻辑,并且可以为标准操作保留。

特性

行业标准线图

为每个驱动程序启用函数

大电流驱动能力±4

独特的双极和CMOS真实驱动输出

舞台提供了MOSFET Miller的高电流

阈值

TTL / CMOS兼容的输入独立于

电源电压

20- ns典型的上升和15 - ns典型的下降时间

1.8 nf负载

典型传播延迟时间为25 ns

输入下降,35 ns输入上升

4- v到15 - v电源电压

双输出可以平行于更高的驱动器

电流电流

可在热增强的MSOP中使用

PowerPAD™包

评级从-40°C到125°C

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