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BSR302NL6327

发布时间:2017-9-12 1:14:00 访问次数:50 发布企业:

BSR302N L6327

BSR302N L6327

BSR302N L6327

BSR302N L6327

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BSR302N L6327

BSR302N L6327

BSR302NL6327HTSA1

BSR302NL6327HTSA1

BSR302NL6327HTSA1

BSR302NL6327HTSA1

BSR302NL6327HTSA1

产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 3.7 A
Rds On-漏源导通电阻: 18 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 6.6 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: MouseReel
封装: Cut Tape
商标: Infineon Technologies
下降时间: 2.2 ns
正向跨导 - 最小值: 12 S
高度: 1.1 mm
长度: 2.9 mm
Pd-功率耗散: 500 mW (1/2 W)
产品: MOSFET Small Signal
上升时间: 3.2 ns
系列: BSR302
工厂包装数量: 3000
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 16.2 ns
典型接通延迟时间: 6.8 ns
宽度: 1.3 mm
零件号别名: BSR302NL6327HTSA1 BSR302NL6327XT

产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 3.7 A
Rds On-漏源导通电阻: 18 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 6.6 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: MouseReel
封装: Cut Tape
商标: Infineon Technologies
下降时间: 2.2 ns
正向跨导 - 最小值: 12 S
高度: 1.1 mm
长度: 2.9 mm
Pd-功率耗散: 500 mW (1/2 W)
产品: MOSFET Small Signal
上升时间: 3.2 ns
系列: BSR302
工厂包装数量: 3000
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 16.2 ns
典型接通延迟时间: 6.8 ns
宽度: 1.3 mm
零件号别名: BSR302NL6327HTSA1 BSR302NL6327XT

产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 3.7 A
Rds On-漏源导通电阻: 18 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 6.6 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: MouseReel
封装: Cut Tape
商标: Infineon Technologies
下降时间: 2.2 ns
正向跨导 - 最小值: 12 S
高度: 1.1 mm
长度: 2.9 mm
Pd-功率耗散: 500 mW (1/2 W)
产品: MOSFET Small Signal
上升时间: 3.2 ns
系列: BSR302
工厂包装数量: 3000
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 16.2 ns
典型接通延迟时间: 6.8 ns
宽度: 1.3 mm
零件号别名: BSR302NL6327HTSA1 BSR302NL6327XT

产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 3.7 A
Rds On-漏源导通电阻: 18 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 6.6 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: MouseReel
封装: Cut Tape
商标: Infineon Technologies
下降时间: 2.2 ns
正向跨导 - 最小值: 12 S
高度: 1.1 mm
长度: 2.9 mm
Pd-功率耗散: 500 mW (1/2 W)
产品: MOSFET Small Signal
上升时间: 3.2 ns
系列: BSR302
工厂包装数量: 3000
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 16.2 ns
典型接通延迟时间: 6.8 ns
宽度: 1.3 mm
零件号别名: BSR302NL6327HTSA1 BSR302NL6327XT

产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 3.7 A
Rds On-漏源导通电阻: 18 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 6.6 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: MouseReel
封装: Cut Tape
商标: Infineon Technologies
下降时间: 2.2 ns
正向跨导 - 最小值: 12 S
高度: 1.1 mm
长度: 2.9 mm
Pd-功率耗散: 500 mW (1/2 W)
产品: MOSFET Small Signal
上升时间: 3.2 ns
系列: BSR302
工厂包装数量: 3000
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 16.2 ns
典型接通延迟时间: 6.8 ns
宽度: 1.3 mm
零件号别名: BSR302NL6327HTSA1 BSR302NL6327XT

产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 3.7 A
Rds On-漏源导通电阻: 18 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 6.6 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: MouseReel
封装: Cut Tape
商标: Infineon Technologies
下降时间: 2.2 ns
正向跨导 - 最小值: 12 S
高度: 1.1 mm
长度: 2.9 mm
Pd-功率耗散: 500 mW (1/2 W)
产品: MOSFET Small Signal
上升时间: 3.2 ns
系列: BSR302
工厂包装数量: 3000
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 16.2 ns
典型接通延迟时间: 6.8 ns
宽度: 1.3 mm
零件号别名: BSR302NL6327HTSA1 BSR302NL6327XT




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