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LFD21967MDP1A050

发布时间:2017-9-13 11:21:00 访问次数:53 发布企业:

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今年半导体资本支出预估

研调机构IC Insights预估,今年半导体产业资本支出可望高达809亿美元,创下历史新高纪录,年增幅达20%,优于研调机构预期。 其中,资本支出成长幅度最高的为DRAM领域,年增幅高达53%。

IC Insights原先预估,全年半导体产业资本支出为756亿美元、年增12%,不过由于内存产业纷纷进行扩产及技术设备升级,使IC Insight调高今年资本支出。 DRAM大厂SK海力士近期指出,已无法单靠制程升级增加获利,必须加大产能,因此加码今年资本支出预算。

IC Insights表示,虽然DRAM资本支出成为今年半导体产业中的成长王,但Flash领域也不遑多让,Flash产业今年预估将投入190亿美元资本支出,高于DRAM产业的130亿美元。 Flash产业投入资本支出原因不外乎研发3D NAND Flash制程,内存龙头三星于今年6月量产的平泽厂便是案例之一。

不过,IC Insight也示警,观察历史经验,全球NAND Flash大厂疯狂投入资本支出可能将导致产能过剩,进而引发价格崩跌,从目前状况看来,三星、SK海力士、美光、英特尔、东芝及武汉新芯等都计划在未来几年拉升3D NAND产能,因此未来3D NAND市场可能会出现价格走跌的风险。

至于晶圆代工仍是半导体产业资本支出冠军,IC Insights预估,晶圆代工领域今年将投入228亿美元、年增幅达4%,占所有领域比重为28%。 晶圆代工龙头台积电的5奈米新厂将于本月在南科动工,总投资金额将高达2,000亿元。

法人表示,半导体产业持续扩张,代表各大厂对后市景气保持乐观态度,其中又以DRAM产业成长最为快速,虽然IC Insight认为积极扩产恐导致价格衰退,不过以目前状况看来,物联网、汽车及服务器对于内存需求不减反升, 因此价格全面衰退与否仍需观察。

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