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IRFP064NPBF

发布时间:2017-9-13 13:17:00 访问次数:59 发布企业:

IRFP064NPBF

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产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 98 A
Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 113.3 nC
配置: Single
封装: Tube
商标: Infineon / IR
高度: 20.7 mm
长度: 15.87 mm
Pd-功率耗散: 150 W
工厂包装数量: 450
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.31 mm
单位重量: 38 g

产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 98 A
Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 113.3 nC
配置: Single
封装: Tube
商标: Infineon / IR
高度: 20.7 mm
长度: 15.87 mm
Pd-功率耗散: 150 W
工厂包装数量: 450
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.31 mm
单位重量: 38 g

产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 98 A
Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 113.3 nC
配置: Single
封装: Tube
商标: Infineon / IR
高度: 20.7 mm
长度: 15.87 mm
Pd-功率耗散: 150 W
工厂包装数量: 450
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.31 mm
单位重量: 38 g

产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 98 A
Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 113.3 nC
配置: Single
封装: Tube
商标: Infineon / IR
高度: 20.7 mm
长度: 15.87 mm
Pd-功率耗散: 150 W
工厂包装数量: 450
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.31 mm
单位重量: 38 g

产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 98 A
Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 113.3 nC
配置: Single
封装: Tube
商标: Infineon / IR
高度: 20.7 mm
长度: 15.87 mm
Pd-功率耗散: 150 W
工厂包装数量: 450
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.31 mm
单位重量: 38 g

产品种类: MOSFET
制造商: Infineon
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 98 A
Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 113.3 nC
配置: Single
封装: Tube
商标: Infineon / IR
高度: 20.7 mm
长度: 15.87 mm
Pd-功率耗散: 150 W
工厂包装数量: 450
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.31 mm
单位重量: 38 g
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