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集成电路可靠性面临的挑战 2017-11-17 22:14:29
从20世纪90年代以来,集成电路技术得到了快速发展。集成电路的特征尺寸不断缩小,U05G4B48-TE12L集成度和性能不断提高。为了减小成本.提高性能,集成电路技术中引人大量新材料、新丁艺和新...[全文]
集成电路可靠性介绍 2017-11-16 21:03:36
可靠性的定义是系统或元器件在规定的条件下和规定的时闷内・完成规定的功能的能J(thcabdity>c°nditionsfOrasI)ecificpcriodhref="http:/...[全文]
表面向外的一侧没有近邻原子2017-11-16 20:24:41
表面向外的一侧没有近邻原子,农面原子有一部分化学键伸向空闸形成悬挂件,因此,SFH6156-4T表面具有很活跃的化学性质。曲于表面原F吸附、沾污和偏析,表面原子种类L9体内不同。曲于表面原子所处...[全文]
正面PEM定位的成功率急剧下降2017-11-14 20:49:24
PEM方法快速、简便而PIC18F258-I/SP有效,具有准确、直观和重复再现的优点。正面PEM分析,除F暴露芯片表面外.无须特别样品制备。在合理的偏置条件下,对样品没有破坏性,不需真空环境,...[全文]
Metal-1图形的例子2017-11-12 17:03:31
图13.8画出了一个桥连的热点,R10937P40这个热点位于一个大的金属结构附近,对于这个热点OPC很难起到效果。MEEF分析结果表明(见图13,9),相邻线条边缘在OPC之后MEEF,和OP...[全文]
有机物残留(organk residues)2017-11-11 18:32:29
有机物残留(organkresidues)QL2003-XPF144C铜抛光以后,有时会出现一些黑色的斑块,这是有机物残留,主要成分是碳,它来自于没清洗干净的BTA,benzotr...[全文]
共同离子注入2017-11-10 22:18:28
共同离子注人是(c⒍implantation或∞cktai卜implantation)的中文翻译,OP113ES原意是指用类似于调鸡尾酒的办法,将除通常所需注人的N或P型离子之外的其他杂质离子(...[全文]
半导体集成电路是以P型硅材料作为衬底2017-11-8 12:10:48
半导体集成电路A82C250半导体集成电路是以P型硅材料作为衬底,在其上形成晶体管、二极管、电阻器、电容器等而构成的。是双极型集成电路结构的例子。...[全文]
BOE溶液对氧化硅湿法刻蚀2017-11-6 21:37:58
氧化硅湿法刻蚀第二个选择是缓冲氧化物刻蚀剂(B()E),它是HF和NH∶F的混合物l避免H「刻蚀时氟离子的缺乏1bl,溶液pH值稳定,不受少量酸加人的影响.还S912XEP100J5VAG有一个...[全文]
LRM工艺气体和压力对沟槽和通孔底形状的影响2017-11-4 11:57:45
通常顶部圆弧相当于顶部线宽CD的收缩,已经证明了顶部圆弧形状最薄弱的点会导致VBD特性变差,如图8,44所示。M/OX1K821W同时,从缺少聚合物△艺得到的顶部圆弧,可能会带来更差的侧壁粗糙度...[全文]
故障信息以故障码序号的形式存放在参数10947中2017-11-3 22:26:23
故障信息以故障码序号的形式存放在参数10947中,例如F0003=3,相关的GLF2012T101K故障值可以在参数10949中查到。如果该故障没有故障值,r0949中将输入0,而且可以读出故障...[全文]
MM440变频器的电路2017-11-3 22:23:29
MM440变频器的电路,包括主电路和控制电路两大部分,主电路完成电能转换(整流和逆变),控制电路处理信息的收集、变换和传输。GLF1608T4R7M在主电路中,由电源输入单相或三相...[全文]
先进的干法刻蚀反应器 2017-11-2 20:11:22
先进的干法刻蚀反应器如图8.10所示,就导体和电介质刻蚀机雨j占,排列在前二甲的干法VSC8145VQ-03刻蚀机厂商包括泛林半导体(I'amrescarch,I'AM),东京老虎机...[全文]
干法刻蚀建模 2017-11-1 20:00:30
虽然半导体晶圆的尺寸从途in增加到了12in,今天所用的制造微老虎机器件的干法刻蚀I艺的开发在很大程度上还是大量耗费时间和金钱的实验探索。OAR5-R025FI部分原因是由于腔室尺寸的增大、紧密交...[全文]
在线、沟槽和孔的刻蚀应用巾常见的刻蚀形状2017-11-1 19:56:46
更小的CI)是改进IC技术的着震点c均匀性是IC制造屮不可缺少的另一个质量的童度量,OADM249A219不仅要做到晶圆与晶圆间、批次与批次间的均匀.还要做到晶圆内、芯片内的均匀,为使芯片功能正...[全文]
最佳的照明条件是偶极照明2017-10-30 21:48:42
如果确定图形的走向为X或者Y,而且图形当中,关键空间频率分布在0,5^/NA与^/NA之间,那么,UC3714D最佳的照明条件是偶极照明。不过,如果关键图形当中含有孤立的图形,离轴照明并不好,因...[全文]
离轴照明的―种方式2017-10-30 21:46:33
第一级衍射光同人射光与垂直轴成的夹角相等。离轴照明的方式有很多,如图7.88所示,主要有环形照明(annular)、嫣°四级照明(quasar)、XY轴上四级照明(cquad)、偶极照明以及混合...[全文]
光学像差及其对光刻工艺窗口的影响2017-10-30 21:14:29
光学像差及其对光刻工艺窗口的影响像差是指各种空间像同理想之间的偏差,如图7.73所示,实际波面和理想波面(球面)的偏差。U2321B泽尼克(Zernike,1953年诺贝尔奖获得者...[全文]
网格套刻中的4个线性参量及其表现2017-10-28 10:16:24
平台,在X和Y方向的步进是通过X和Y方向上的干涉计来控制的,步进的长度也存在误差;而且,由于扫描,沿着Y方向上的运动不一定垂直于横向方向X。于是,便引入了另外两个参量:非对称放大率(assyme...[全文]
静态工作电流2017-10-27 21:45:05
(1)功耗低,其静态工作电流在109A数量级,是目前所有数字集成电路中最低的,而TTL器件的功耗则大得多。ZHCS1000TA(2)高输入阻抗,通常大于1010Ω,远高于TTI'器...[全文]
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