位置:鸿运国际老虎机官网 » 鸿运国际老虎机资料 » 传感与控制
通过光电二极管检测光斑位置的变化2017-11-18 17:02:10
在原子力显微镜的系统中,二极管激光器发出的激光束经过光学系统聚焦在微悬臂(cantil四cr)背面,并从微悬臂背面反射到由光电二极管构成的光斑位置检测器(de1cc1...[全文]
氧化层击穿寿命预测 2017-11-17 22:07:57
栅氧化层的失效机理日前有种模型:电化学模型(elect⒑chemicaImodel)或Emodd;阳极帘穴注入模型(an。deholcinjcctionmodd)或l/Em。dd;陷阱产生模型(...[全文]
微分析仪器的应用范围、分辨率及局限性2017-11-16 20:27:05
表面信息是通过各种表面分析技术来获得的.表i面分析技术匚发展有许多不同的种类,SG2525AN足建立在超高真空电f离子光学微弱信号检测汁算机技术箐基础卜的一闸综合性技术如图14.29所示。它们的...[全文]
原子力扫描镜原理和探针示意图2017-11-15 20:29:31
图14,15~图11,19分别碰示原子力扫描镜原理示意图和探针示意图、基于扫描老虎机显微镜的ZyvexKZ10OsEM纳米探针系统外观及扫描老虎机显微镜图及其最常见应用:测量SRΛM单比特中品体管特...[全文]
DFM技术和工作流程2017-11-12 16:50:46
在当今的IC设计中,一个半导体的代I厂不同技术组织和机构联合起来在DFM不同阶段结合起来的流程如图13,5所示,包括模型、器件、电路设计、验证以及制造。这些流程的最终产品是用于成功设计定案和制造...[全文]
侵入式退火2017-11-10 22:29:16
如图10,12所示,浸人式退火是指在晶圆的温度升高到设定的温度后,继续保持一段时间以达到足够的注人离子活化,薄膜致密化或其他效果。OP177GP一个典型的快速热处理反应室如图10.13所示,大功...[全文]
编写相应功能模块的HDL设计程序2017-11-9 12:21:27
编写相应功能模块的HDL设计程序。完成顶层电路原理图的设计。H006-10403025对该电路系统进行功能仿真。根据EDA实验开发系统上的CPLD/FP...[全文]
给出该差分放大电路的各三极管的静态工作点2017-11-9 12:15:37
给出该差分放大电路的各三极管的静态工作点(尼、比、VBE.VCE),以及恒流源的电流。HSMS2850-TR1给出电压传输特性曲线,并对曲线进行必要的说明。给出蒙特卡...[全文]
设计一个放大电路应注意哪些原则?2017-11-9 12:13:02
1.设计一个放大电路应注意哪些原则?HEF4059BD2.温度对放大电路有什么样的影响?(可以使用PSpice提供的瞬态分析中的进阶分析温度扫描分析(TemperatureSwee...[全文]
离子植人后清除2017-11-6 21:26:14
离子植人后清除。在IC器件的制作中,有关井(WELL)、低掺杂(I'DD)、重掺杂(P/N十)的离子植人是器件成活的关键。在不同的步骤,浓度有高低之分,深浅有能量之分,S912XEG128J2M...[全文]
铝线和铝垫是铝刻蚀中需要特别考虑微负荷效应的两个极瑞的情况2017-11-5 16:53:05
铝线和铝垫是铝刻蚀中需要特别考虑微负荷效应的两个极瑞的情况。在所述P6KE6V8CA实例中,铝线的间隔为1~3.5nm,其特征被标志为稠密.因为如果同铝垫相比的话,它具有产生鸿运国际聚合物的源。如图...[全文]
衬底上的氮原子去除得到了增强2017-11-4 11:31:36
随着器件变得更小,M4A3-192/96-10VNC如果氯化物/氮化物(()N)隔离的器件与氮化物氮化物(N()N)隔离的器件相比的话,在有着同样的侧墙宽度的情况下,就sH'C(应...[全文]
多晶硅栅上任何小的缺口或者脚都会改变栅的有效长度2017-11-4 11:23:51
对于高端器件。MC74LVX4245DWR2多晶硅栅上任何小的缺口或者脚都会改变栅的有效长度,从而对器件性能产生显著的影响。两个有前途的双多晶硅栅图形化方案(纯光刻胶和△层结构图形化),都是产牛...[全文]
模块化设计,配置非常灵活2017-11-3 22:21:57
模块化设计,配置非常灵活;GLF1608T2R2M脉宽调制的频率高,因而电动机运行的噪声低;详细的变频器状态信息和全面的信息功能;有多种供用户选用的可选...[全文]
小波压缩的得分响应表面作为rP功率和流速的函数2017-11-2 20:09:51
Zhang(⒛02年)「nJ应用神经网络就四个操控输人与基于2DMPRES试验设计的压缩了的⒈D刻蚀速率之间的关系进行了验证。图8.9显示的是前两个的“得分”,VS1003B它们是从小波压缩变化...[全文]
双斜坡的结构是由于两个刻蚀步骤间非平滑的过渡造成的2017-11-1 19:58:58
考虑到后续的问隙填充,在孔与沟槽的应用中,纯粹的各向异性刻蚀出的形状是不能接受的。OAH25-60.000MHZ工艺中希望得到大于85°角有轻微锥形的形状,倒锥型形状除了SiGeェ艺外很少用到:...[全文]
浸没式光刻2017-11-1 19:39:04
在空气中,最大的数值孔径为1.0.分辨率NA=1.o就是极限。早在19世纪末,人们OA1530-32-NOUT就发现,如果在显微镜物镜与生物样品的盖玻片上滴上一层油,显微镜的分辨率和对比度会大幅...[全文]
离轴照明2017-10-30 21:43:46
我们在前面已经讲到,离轴照明可以提高对密集图形的I艺窗口。对于空间周期p在0.5^/NA与^/NA之问的图形有着不错的工艺窗口。离轴照明所形成的两束光(零级和1级或者...[全文]
掩膜版数据有以下集中格式2017-10-30 21:40:48
掩膜版数据有以下集中格式:具有等级分别(hierarchical)的GDSII,最早由美国通用电气的Calma部门开发,现在法律归属权由Cadence设计系统公司所有。UC2853D在掩膜版扫描...[全文]
硅片平台分系统2017-10-29 13:58:57
硅片平台分系统的任务是协助镜头完成对硅片的精确对准(i线光刻机大于1O0纳米,193nm浸没式光刻机小于10nm),并且对硅片偏离尺度目标的偏差(如套刻偏差(overlaydeviation)、...[全文]
总页数:213 每页记录数:20 当前页数:1 鸿运国际老虎机平台 上一页 1 2 3 4 5 6 下一页 尾页

热门点击

IC型号推荐