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扫描老虎机显微镜像衬度2017-11-18 17:14:10
扫描老虎机强微镜像衬度主要是利用样品表面微区特征(如形貌,原子序数或化学成分,SC16C654BIB64晶体结构或晶体取向等)的差异,在老虎机束作用下产生不同强度的二次老虎机信号,从而导致成像荧光屏上...[全文]
针对NBTI退化机制,下面列举了相关制程对NBTI的影响:2017-11-17 22:02:00
针对NBTI退化机制,下面列U2010B-MFPG3举了相关制程对NBTI的影响:(1)氢是硅氢键的主要成键物质并在NBTI中起主要作用,氘是氢的同位素,与硅结合形成⒏-D键,结合...[全文]
NBTI机理2017-11-17 21:48:40
PMOs在栅极负偏压和较高温度匚作时,其器件参数如V】h、Gm和d讯等的不稳定性叫负UPD74HC258GST1偏压温度不稳定性(NegativchasTemperaturcInstabilit...[全文]
在投影镜以下是像的观察和记录系统2017-11-16 20:08:42
在投影镜以下是像的观察和记录系统真空系统。真空系SA636DK统由机械泵、油扩散泵、离子泵、真空测量仪表及真空管道组成,日前高级系统还配有涡轮分子泵,它的作用是排除镜筒内气体,使镜...[全文]
用万用表R×1挡检测2017-11-14 21:13:21
若上述检查增均正常,PIC18F13K22-I/SS则再检查逆变晶间管(KK)是否损坏。用万用表R×1挡检测,如果测量晶闸管阴极与阳极之间的电阻为零,则晶闸管损坏,更换晶闸管。若中频电源逆变晶闸...[全文]
开封技术2017-11-13 20:57:45
环氧塑封是IC主要封装形式,冈此本节主要针对塑封器件的开封做简单介绍。STV5348DT环氧塑封器件开封方法有化学方法、机械方法和等离子体刻蚀法,化学方法是最广泛使用的方法,叉分手动开封和机械开...[全文]
线条热点边沿的MEEF测章2017-11-12 16:59:55
如图13.6所示,在建立R10934EC了问题图形的图形库之后,一个输人的设计能被图形搜索方法迅速地进行筛查,而不是全芯片模拟,这个工作甚至可以在OPC前开始做。图13.7给出这个迅速筛查的方法...[全文]
CMP在高K金属栅形成中的应用 2017-11-11 18:37:56
在32nm及以下技术中,栅后方法(gatelastapproach)是形成高虑金属栅的主流方法之―,而CMP在栅后方法中担当着重要而富有挑战性的角色。QL4016-3PF100C图...[全文]
采用低霪材料做介质成为发展的方向2017-11-11 18:15:12
随着集成器件尺寸的缩小和金属线数量的增多,由金属互连结构的寄生效应引起的严重的RC延迟成为130nm及其以下技术中限制信号传输速率(频率)的主要冈素。lKl此,采用低霪材料做介质成为发展的方向。...[全文]
氧化铈研磨液的特点 2017-11-10 22:45:26
不同于以机械作用为主导的氧化硅研磨液抛光,氧化铈(CcO3)研磨液抛光是以化学作用为主导,它具有以下几个特征:OP262GSZ(1)平坦效率高,能选择性地磨平凸面,对沟槽的保护性好...[全文]
椭圆偏光厚度测量 2017-11-10 22:06:59
椭偏仪是一种可反映薄膜特性的光学仪器,它用一个偏光仪,产生线性的偏光,以一个OCP8020大的入射角照射到样品卜,而后,收集反射光并分析Ⅱ,如图9,28所示。由于样品...[全文]
设计要求具有如下的基本功能2017-11-9 12:28:45
在EDA实验开发系统上完成一个多功能计时电路。设计要求具有如下的基本功能:H10005①数字钟最大计时显示23小时59分59秒;②在数字钟正常工作时珂以对数字钟进行快速校时和校分,...[全文]
 大多数可行的高介质湿法去除是采用HF基的化学品2017-11-7 21:53:25
大多数可行的高介质湿法去除是采用HF基的化学品。通过加入酸或醇9HF基溶液的刻W15-0180-M-0075HC蚀选择性可得到改善。HF溶液中每个组分的变化相对函数pH可从理论上得到计算。Par...[全文]
刷子擦洗法2017-11-6 21:08:17
刷子擦洗去除颗粒,是靠聚乙烯醇(PVA)刷子在晶片表面上转动,通过机械力使颗粒脱离晶片。喷头喷射的流动的化学试剂(如稀氨水),一方面用来调节刷子、晶片表面及S912XDP512F0MAG颗粒表面...[全文]
晶片表面颗粒去除方法 2017-11-5 17:34:20
晶片表面颗粒去除方法颗粒从制程外的空气或制程中(如膜层沉积、药液清洗等)至刂达品片表面,一般有TDA7719TR两种接触:物理吸附和化学粘结。物理吸附包括范德华力吸附、静电荷吸附和...[全文]
1C污染对器件的影响2017-11-5 17:24:06
在集成电路制造中,污染无处不在,是个不可忽视的因素,因为它们会损害芯片的质量、TC4S66F降低芯片的效能。据估计5O%良率损失来源于污染。污染对半导体器件的影响很复杂,因此针对不同的污染,采取...[全文]
在刻蚀机内部,源功率用来改变等离子的密度2017-11-4 11:35:36
在刻蚀机内部,源功率用来改变等离子的密度,偏置功率用来调节离子的轰击能量。而MAX3380ECUP源功率与偏置功率的比值可能是个神奇的数字,用来进行侧壁形状的控制。图8.27比较了三个典型的形状...[全文]
掩膜版制作介绍2017-10-30 21:37:23
掩膜版的制作使用老虎机束和激光曝光的方式。由于现代光刻机一般使用4:l的缩小倍率,UC2845掩膜版的尺寸是硅片尺寸的4倍♀但是由于日益增加的光刻工艺的掩膜版误差囚子以及对亚衍射散射条(Sut,R...[全文]
偏振效应2017-10-29 13:55:10
前面讲到的成像原理都没有考虑到人射和衍射光的偏振态。其实,它们的偏振态对像的对比度在大数值孔径的逐渐变大有着显著影响。V6F32F304对于电场方向垂直与人射光同掩膜版表面法线成的人射平面的光,...[全文]
实际测试与记录数据是实验过程中最重要的环节2017-10-27 21:13:56
实际测试与记录数据是实验过程中最重要的环节。为保证实验测试数据的可信度,需要Z8F1601VN020EC在实际测量之前先进行预测。此时不必仔细读取数据,主要是观察各被测量的变化情况和出现的现象。...[全文]
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