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聚焦离子束丁作原理和构造2017-11-16 20:15:09
FIB系统主要由离子源、离子光学SCA100T-D01系统、二次粒子探测器、真空系统和辅助气体系统组成。商用机型有单束(singlebeam)和双束(dualbeam,离子束+老虎机束)两类。日前...[全文]
物镜是透射电镜最重要的部分2017-11-16 20:07:42
成像系统主要包括物镜、巾间镜(1~2个)和投影镜(1~2个)以及其他老虎机光学部件。S1T8528X01-Q0R0经过会聚镜得到的平行老虎机束照射到样品上,穿过样品后就带有反映样品特征...[全文]
失效定位技术2017-11-13 21:02:45
半导体器件和电路制造技术飞速发展,器件特征尺寸不断下降,而集成度不断上升。这S0012AD-CEPEM两方面的变化都给失效缺陷定位和失效机理的分析带来巨大的挑战。由于集成电路的高集成度,每芯片的...[全文]
等离子体刻蚀开封法2017-11-13 21:01:12
等离子体刻蚀开封法(Plasmadccapsulati°n):利用氧等离子体去除有机环氧树脂密封料。S/TUB/COP/OVT离子体刻蚀,又称千法刻蚀,是分析实验室必备样品制备组装置之一。等离子...[全文]
失效分析概论 2017-11-13 20:15:00
器件失效系指达不到预期的性能和规范的器件或正常I作的器件,经过一定时间的应力实验或使用后,SAA7111AHZ其电学特性参数或物理、化学性能降低到不能满足规定的要求。半导体器件失效分析(fail...[全文]
环境和等待时问的影响2017-11-11 18:28:39
抛光后的等待时间。CuCMP结束后,如果晶片在普通净化室的环境中长久等待,QG88GWP铜的表面上会长出很多麻疹似的小颗粒,在铜线边缘尤为严重。这是由于铜在空气中的氧化形成的,此生长物的主要成分...[全文]
化学腐蚀2017-11-11 18:27:00
化学腐蚀(chemicalcorrosion)QG82005MCH金属表面处如有没清洗掉的研磨液等化学物质,与铜发生化学反应形成化学腐蚀,见图11,19。这在抛光机发生故障、抛光中...[全文]
光助铜腐蚀2017-11-11 18:20:09
光助铜腐蚀(Pho1oAssistedCopperCorrosion,PACC)产品中的PN结在光子的照射下产生老虎机流动,使得Cu原子从P掺杂的连线转移到N掺杂的一端,QEDS-9...[全文]
必须完成变频器的机械和电气安装2017-11-3 22:29:43
在进行快速调试之前,必须完GLF2012T2R2M成变频器的机械和电气安装。PO010的参数过滤功能和P0003选择用户访问级别的功能在调试时是十分重要的。MM4变频器有3个用户访问级,即标准级...[全文]
经验模型2017-11-2 20:01:30
如8.2.1节所述,基于基本原理所建立的等离子刻蚀建模涉及高频、高强度电场内的连续性、VP101X12BQC-2动量平衡和能量平衡等方程。对一个特定反应器的实际模拟,所需要的求解时问在数量级L是...[全文]
等离子刻蚀2017-11-1 19:47:34
干法刻蚀通常要用到等离子,等离子被称作物质的第四态,它可以被看作部分或全部放电的气体,在这气体中,包含有老虎机、离子、中性的原子和/或分子。OA1530-32-NOUT从总体上看,等离子保持着电中...[全文]
极紫外光刻 2017-11-1 19:41:17
在所用过的光刻的波长中,13.5nm可能不太容易被理解。从最初的g线、i线到当今的365nm、248nm和193nm,多少还是让人感到,我们是在做“刻”。由于193nm浸没式的O27.0-VX3...[全文]
与设计图形在给定的离焦后的差异2017-11-1 19:25:45
由一个给定的仿真模型(如空问像+阈值模型)从-个初始函数(掩膜版的原始设计图样)来对每一个掩膜版单元进行考察,看将其设定成“0”或者“1”对一些预先定义的考察I艺好坏的参量,或者代价函数有没有变...[全文]
相移掩膜版2017-10-30 21:51:02
掩膜版是通过透光和不透光来将电路板设计图案表达出来的。不过,由于衍射效应,本UC3800D来不透光的区域,在硅片的像中光强也不等于零。在1982年,莱文森(I'cvcnson)和他的合作者提出使...[全文]
改进气泡的问题需要从源头上阻止气泡的产生2017-10-29 13:24:16
改进气泡的问题需要从源头上阻止气泡的产生,如阻止空气在浸没使用的超纯净水中的过量溶解。V52C4258K70还有,如果在快速扫描时(通常最快速度可以达到600~700mm/s)产生了气泡,需要通...[全文]
模拟电路的工作频率比较低、灵敏度较高2017-10-28 10:34:25
模拟电路的工作频率比较低、灵敏度较高,一般用单点接地的方式。在模拟R1008电路中,单点接地主要用来防止来自如数字逻辑器件、电动机、电源、继电器等其他噪声元器件的大接地电流流经模拟地线。模拟输入...[全文]
闲置输入端处理方法2017-10-27 21:47:54
闲置输入端处理方法:ZHCS1000TA①悬空,相当于逻辑“1”,对于一般小规模集成电路的数据输人端,实验时允许悬空处理,但易受外界干扰,导致电路的逻辑功能不正常。因此,对于接有长...[全文]
通常对空间上有延伸的图形2017-10-26 21:04:35
通常对空间上有延伸的图形,诸如线或槽和接触孔,掩膜版误差因子都等于或大于1。S2922AIF10-TF因为掩膜版误差因子的重要性在于它和线宽及掩膜版成本的联系,将它限制在较小的范围变得十分重要。...[全文]
光刻工艺流程 2017-10-25 21:07:50
基本的8步工艺光刻流程如图7.9所示。HMDS表面处理、涂胶、曝光前烘焙、对准和曝光、曝光后烘焙、显影、显影后烘焙、测量。P9234V16气体硅片表面预处理...[全文]
前处理工艺2017-10-23 20:40:00
在进行Ti/TiN沉积之前,wafer还要进行前处理,一是加热(degas)去除ILDlayer里的水汽和OPA2137EA/2K5从上道工艺可能残留下来的聚合物(polymer),二是用氩气进...[全文]
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