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原子力显微镜是用来研究包括绝缘体在内的固体材料表面结构的分析2017-11-15 20:14:10
纳米探针的种类按照使用平合来分可以分为基于原子力显微镜(AFM)的原子力探针显微镜和基于扫描老虎机显微镜(SEM)的扫描老虎机探针显微镜。TC4S66F原子力显微镜是用来研究包括绝缘体...[全文]
OBIRCH雷射注入技术在90nm制程失效分析中的运用2017-11-14 21:05:44
>的光反射显微镜不能用来探测短路、P87C51RB+5A欧姆特性的缺陷;进入到O.35um~0・18r火m铝互连制程,由于工作电压降低,图形的密度越来越高以及功耗的减少,液晶技术对...[全文]
oBIRCH/XIⅤA案例分析2017-11-14 21:03:09
>分析。PTH12020WAH线路漏电路径分析。利用OBIRCH方法,可以有效地对电路中缺陷定位,如金属互连线条中的空洞、通孔下的帘洞,通孔底部高阻L×等;也能有效地检测短路或漏电,是发光显微技...[全文]
X射线透视2017-11-13 20:56:14
现在先进的扫描声学显微镜(见图11.D的频率范围为STM32F051C8T650OMHz),在空闸分辨率可达0,1um9扫描面积达到(0.25umJ~300n1m2),能完成超声波传输时问测量(...[全文]
MOs电性参数 2017-11-12 16:34:38
MOs直流特性(DC)町以用开启电压(Thrcsholdv°11age.Vt).驱动电流(I)rivingcurmn1,Id)和漏电流(su⒌thrcsholdleakage,I°ff)来描述。...[全文]
固定研磨粒抛光工艺2017-11-11 17:38:25
2001年,第Ⅰ代同定研磨粒(fixedabrasive)抛光垫问世。⒛02年,美国应用材料公司的Rcfle妯onWebTNl抛光机推出。固定研磨粒抛光是一种革命性的抛光技术。固定...[全文]
化学机械平坦化 2017-11-10 22:36:47
通过本章学习您将能了解到CMP技术近年来的发展状况。本章通过CMP的几个重要应用OP213FS,阐述了CMP的要求、过程和原理,同时也解释了CMP对器件性能的影响以及新技术对CMP的挑战等。11...[全文]
熟悉两级放大电路的设计方法2017-11-9 12:16:42
1.熟悉两级放大电路的设计方法。HY57V561620BT-H2.掌握在放大电路中引入负反馈的方法。3.掌握放大器性能指标的测量方法。4.加深埋解负反馈...[全文]
调节滑动变阻器Rp2017-11-9 12:10:41
调节滑动变阻器Rp,选用瞬态分析(TimeDomain)观察电路输出信号达到最大不失真状态。HA12135AF并在这个状态下完成以下步骤:(1)查看仿真输出文件(View/Outp...[全文]
整流滤波后的电压值还会受到电网电压波动和负载变化的影响2017-11-9 12:05:45
整流滤波后的电压值还会受到电网电压波动和负载变化的影响,这样的HLMP-Q150-F0011直流电源是不稳定的,因此,最后加上稳压电路部分,从而得到稳定的直流电压,使输出的直流电压在电网电压或负...[全文]
溢流冲洗2017-11-7 22:08:13
溢流冲洗:晶片放进满水槽底部的晶片架上,如图9.24所示,去离子水从底部供人,W1RF250水流经过晶片,并逐渐⒈移,而后越过晶片,再后来溢出水槽内缘,而流到外槽,进人排出系统,同...[全文]
栅极表面预处理2017-11-7 21:43:29
直接在Si上沉积高乃介质会导致老虎机迁移率的降低,因此在Si和高虑介质问引人一个界面层,如⒏O2。这个界面层要求致密和均匀,便于高乃介质膜的生长。在高芡介质沉W107DIP-5积之前,湿法生成一层...[全文]
SEM展示从Cu到Ta刻蚀轮廓2017-11-7 21:36:43
后段制程中,铜金属W-117S1P-18内连线引人,用于替代铝。为避免与非铜区域机台交叉污染和阻止器件性能的降低,必须强制执行晶背去污染清洗。晶片背面氮化硅的出现会限制铜的扩散。C,Richar...[全文]
金属钛湿法刻蚀2017-11-7 21:29:19
金属钛在I(r制造中应用很广,主要是W-117S1P-18它具有低的电阻率和好的黏附性,常被用作钨插寨和金属内连线的阻障层(TiN/Ti/W)、金属与硅间的接触过渡层(钛硅化物)。TiN是被广泛...[全文]
片湿法刻蚀过程原理2017-11-6 21:31:53
晶片湿法刻蚀大致分五步:①溶液的反应物利用扩散,到达溶液和晶面的边界层;②反应物由边界层与晶面薄膜接触;③反应物与薄膜分子反应,产牛气体或其他副产物;④膜层减薄或消逝,同时生成物进入边界层;③利...[全文]
晶片的湿法处理概述 2017-11-5 17:31:18
以上介绍了晶片制造过程中各种污染.污染的来源,污染对器件的影响。对于L千步的制程,TC75S55F使用不同的设备、材料和方法,达到预期目的的同时.也会产生不同的副作用:污染。通过制程的完善和创新...[全文]
变频器的参数只能用基本操作面板2017-11-3 22:24:50
变频器的参数只能用基本操作面板(BOP)、高级操作面板(AOP)或者通过串行通信接口进行修改。如果试图修改一个参数,而在当前状态下此参数不能修改,GLF2012T100K例如不能在运行时修改该参...[全文]
MM410是一种解决简单驱动问题的传动方案2017-11-3 22:19:37
在全世界范围内,无论是冶金、水泥、机械等重工业,或者是在编织化纤、食品饮料、GLF1608T1R0M楼宇建筑等其他行业,西门子变频技术都得到了广泛应用。MM4系列变频器包括4种类型:MI-CRO...[全文]
典型的刻蚀机2017-11-1 19:51:44
在特征尺寸从5um急剧地缩小至45nm的过程中,需要使用更低气压的各向异性等离子刻蚀,OADM101B58TLB01以确保更小尺寸图形转移的精确度。因此,干法刻蚀机从早期的圆筒形/平行板型(各向...[全文]
电烙铁的功率与烙铁头温度对应关系2017-10-28 10:40:23
电烙铁的功率与烙铁头温度对应关系如。焊接时,应根据不同的焊接对象,R10937P40结合烙铁头的温度,合理地选用合适功率的电烙铁。例如,焊接印制线路板上的老虎机元器件时,一般可使用犭W电烙铁,若使...[全文]
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