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A型指的是来自单一传感器位置的回波2017-11-13 20:49:41
成像形式:常用的是界面扫描技术(GScan)和透射式扫描(TScan)。A型是接收的回波随它们在传感器的每个坐标上的到达时间(深变化的示波器显示(见图14.2)。ST8024CTR回波中包含的幅...[全文]
振荡清洗(超声和兆声)2017-11-6 21:05:33
晶片振荡清洗是一种无接触和无刷洗去除颗粒技术。超声发生器一般安装在清洗槽的底部或侧面,S912XD64F2MAA在超声清洗时,晶片浸泡在施以10~100kHz的溶液中,高频能量传递产生压力波,进...[全文]
纳米集成电路制造工艺2017-10-29 13:11:15
由于对准记号的信号强度的重要性,而且其受衬底反射率的影响叉比较大,于是,市面A04554上产生了对对准记号信号强度进行模拟的方针运算方法,其中有的精确度还是很高的。如引文和图7。47(a)、图7...[全文]
接近式曝光的分辨率理论极限是2017-10-24 20:37:26
接近式曝光的分辨率理论极限是其中,乃代表光刻胶的参数,通常在1~2之间;CD代表最小尺寸,即cⅡticaldimeI△⒍on,通常对应最小能够分辨的空间周期的线宽;λ指曝光的波长;g代表掩膜版到...[全文]
SARE电镀机台2017-10-24 20:03:14
随着集成电路技术的不断发展,化学电镀机台的硬件也在不断地更新。XC17512LPC日前,界常用的铜化学电镀的机台主要有中央供液(多个电镀槽共用一个大的供液槽的电镀液,所有的电镀液都一样)、半中央...[全文]
轮廓修正(多步沉积刻蚀)的HDP-CⅤD工艺2017-10-21 12:26:19
图4,18是一个典型的多步沉积亥刂蚀HDPCVD的工艺。与一般的HDP相似,主要通K4B2G1646C-HCH9过SlH4和02反应来形成SiO2薄膜。但是沉积过程的要求与传统的HDP不同,传统...[全文]
高K栅极介质2017-10-18 20:52:04
介绍⒛07年1月27日,Intel公司宣布在45nm技术节点采用高乃介质和金属栅极并进人量产,NCP1377DER2G这是自20世纪60年代末引人多晶硅栅极后晶体管技术的最大变化。...[全文]
氮氧化硅栅极氧化介电层的表征2017-10-18 20:47:36
跟超薄⒏O2一样,当Si()N氧化介电层越来越薄时,氮氧化硅膜厚、组成成分、NCN8664ST50T3G界面态等对器件电学性能的影响越来越重要,同时这些薄膜特性的表征也越来越困难,往往需要几种技...[全文]
化学气相沉积法使用的氧源2017-10-18 20:39:24
在热氧化工艺中,主要使N2T6716用的氧源是气体氧气、水等,而硅源则是单晶硅衬底或多晶硅、非晶硅等。氧气会消耗硅(Si),多晶硅(Poly)产生氧化,通常二氧化硅的厚度会消耗0.54倍的硅,而...[全文]
CMOs图像传感器2017-10-17 21:39:49
CIS英文全名CMOS(Comp1ementaryMetal-O妊deSemiconductor)ImageSensor,中TA7668BP文意思是互补性金属氧化物半导体图像传感器。CMOS图像...[全文]
DRAM和eDRAM2017-10-17 21:20:35
DRAM是精密计算系统中的一个关键存储器,并且在尺寸缩小和高级芯片设计的推动下向高速度、T-7115A-MC-DT高密度和低功耗的方向发展。尽管DRAM的数据传输速度已达到极限并且远远低于当前最...[全文]
元器件的正确布局都至关重要2017-10-16 20:45:28
在任何PCB设计中,元器件的正确布局都至关重要。大多数的老虎机电器系统与设备中多会包含多个功能子模块电路,不同的功能子模块可能具有不同的频谱带宽,R5F21258SNFP从而会产生不同的射频能量,...[全文]
等离子体技术是多个单项工艺中都经常使用的技术2017-10-15 17:46:28
在微老虎机工艺中,等离子体技术是多个单项工艺中都经常使用的技术,如等离子增强化学气相淀积、PIC12F615溅射、干法刻蚀等,在介绍等离子增强化学气相淀积工艺之前,首先介绍等离子的产生方法及状态特...[全文]
高七金属栅2017-10-14 10:39:12
正如3.4,l节所述,进一步降低EσI′需要采用高虑栅介电材料。新的栅极电介质和原来的栅极的多晶硅并不兼容。R1EX24064ASAS0I高乃栅介电材料中的金属铪能够与多晶硅栅电极中的硅发生反应...[全文]
源漏工程2017-10-14 10:29:03
源漏扩展结构(Source/Dr缸nExtension,SDE)在控制MOS器件的短沟道效应中起到重要作用。SDE(源漏扩展结构)引入了一个浅的源漏扩展区,R1EX24032ATAS0I以连接沟...[全文]
二氧化硅的乃值在⒋2左右2017-10-12 22:12:51
二氧化硅的乃值在⒋2左右,通常通过掺杂其他元素以降低乃值,比如0.18um工艺采用掺氟的二氧化硅,氟是具有强负电性的元素,当其掺杂到二氧化硅中后,PT4119可以降低材料中的老虎机与...[全文]
集成电路制造工艺发展趋势  2017-10-12 21:55:23
⒛世纪中叶以来,以老虎机计算机为代表的老虎机技术产品的不断革新使得社会的发展日新月异,PIC16F1783-I/SS社会的每个方面都产生了深刻的变化。集成电路产业作为技术革命的中心,是整个社会老虎机产...[全文]
圆柱体全包围栅量子阱HEMT场效应晶体管器件剖面结构2017-10-12 21:46:02
(其中在栅电极和势垒层之间插人了一高虑栅极介质层Tsi()x)从某种意义上讲,目前htel公司所谓的量子阱场效应晶体管(QWFET)也是一种无结场效应晶体管。鉴于高迁移率CMOS技...[全文]
无结场效应晶体管 2017-10-12 20:49:11
当代所有的集成电路芯片都是由PN结或肖特基势垒结所构成:双极结型晶体管(BJT)包含两个背靠背的PN结,MOS「ET也是如此。结型场效应晶体管(JFET)垂直于沟道方向有一个PN结,PAM230...[全文]
凡连接到测量接收机的屏蔽连接线布置2017-10-10 20:54:57
凡输人阻抗大于15O0Ω的电压探头,其软性接地线长度不应超过最大测量频率对应波长的十分之一,REF3030AIDBZT并应该以可能的最短路径接到作为参考地的金属表面上。为了避免由探头的屏蔽层引入...[全文]
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