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HcI寿命模型2017-11-17 21:43:37
常用的HCI寿命模型有Ib模型,Ib/Id模型及1/Vd模型。Ib模型和Ib/Id模型是建立于一定的⒕条件下可以在Jbˉy#Hh线上找到rb的最大值。UPC1678GV-E1但通常...[全文]
失效分析通常得涵盖一系列系统性2017-11-16 20:58:09
综上所述.集成电路正向亚微米、深亚微米、多法布线结构的方向发展。SI6544DQ同20世纪70年代的约鬲微米技术相比.失效机理变得纷繁复杂,同时也带来一些新的失效因素n新的失效因素不仅对可靠性产...[全文]
FIB的原理与SEM相似,2017-11-16 20:16:47
FIB的原理与SEM相似,主要差别在于FIB使用离子束作为人射源,ΠB的外加电场作用于液态金属离子源,SD6271使液态金属或合金形成细小尖端,再加L负电场牵引尖端的技术或合金,导出离子束,通过...[全文]
Beams2000型EMMI机台,拥有CDD和MCT双探头复合模式和热红外模式EM2017-11-14 20:42:39
微光探头是PEM系统核`b部件,是系统PI74FCT163244A探测灵敏度的决定因素。在深亚微米技术领域,随着设计规则(designrule)及工作电压(supplyvoltagc)的逐渐减小...[全文]
Al CMP的方法及使用的研磨液2017-11-11 18:44:08
主流AlCMP一般采用工步研磨法(见图11.25):QL8X12B-OPF100C第一步:采用研磨粒为之氧化二铝(A1()3)的研磨液,去除大部分Al金属层,留下薄而均匀的Al金属...[全文]
大分子离子注入(moIecuIar impIants)2017-11-10 22:12:55
大分子离子注入(moIecuIarimpIants)在注入能量小于lkeV的情况下,现有的离子注入设备已经很难调出稳定的束流来完成T∶艺需求,OP07CDR哪怕是用较高能量的萃取电...[全文]
叙述所设计的BCD码转换电路的工作原理2017-11-9 12:22:41
1.叙述所设计的BCD码转换电路的工作原理。H0136AB2.完成实现该电路的HDL程序。3.给出电路的仿真结果。4.总结实验过程中遇到的问题及解决问题...[全文]
学习使用PSpice软件进行原理图仿真2017-11-9 12:08:35
1.学习使用PSpice软件进行原理图仿真。HM33-10070-TR2.掌握仿真软件调整和测量基本放大电路静态工作点的方法。3.掌握仿真软件观察静态工作点对输出波形...[全文]
老虎机电路的功能全部都是由老虎机管来实现的2017-11-8 12:27:49
如同把橡皮球加热后会膨胀一样,可以想DRV8833PWPR像如果升高金属的温度则其自由老虎机的运动一定也会变得活跃起来。就像宇宙火箭为克服地球的引力而飞出其引力圈,只要有约为llkm/s的速度就足...[全文]
氮化硅湿法刻蚀2017-11-6 21:39:12
氮化硅在半导体制程上的生长方式,象氧化硅一样,有炉管批和单片化学气相沉积(CVD)法,S912XEP100W1MALR主要应用是作刻蚀的硬式幕罩或化学机械研磨(CMP)和干刻蚀的停止层,如浅沟槽...[全文]
低温喷射法2017-11-6 21:09:29
低温喷射颗粒去除是一种非湿法清洗技术,它是惰性气体(如氩气,二氧化碳)的低温冷冻微粒以高速(100m/s)喷射到晶面上,低温微粒剥离晶片上的颗粒是通过下面两种机理:①动能以高速低温微粒传递到晶片...[全文]
集成电路制造中的污染和清洗技术 2017-11-5 17:21:15
在大规模集成电路制造中,如晶片L1mm2的区域,就可制造几百万颗光学显微镜无法辨认的器件,而各种污染,如颗粒、金属离子污染、有机物污染、QT2032-PR7-1A2薄膜污染等,时刻影响着芯片器件...[全文]
两个相互交织的线圈与传统的ICP源一起可以解决很多负面问题2017-11-5 16:54:33
除了在标准的刻蚀机里的原位灰化,异地灰化「25J是必不可少的,主要用来完全去除干法刻蚀和离子注人P87C51RB+5A后的光刻胶及其残余物。图8.51表示的是两个主流灰化机型的比较:I'am/G...[全文]
第一种条纹和第二种条纹对VBD性能的影响2017-11-4 11:46:51
图8.35所示为3600个通孔组成的链,用来对不同阶段条纹进行R1测试c图8.36所示为VBD的⒈V曲线,在电迁移(EM)测试中・通孔的尺寸是0,()9×0。O9um`应力电流是0...[全文]
设置参数P03352017-11-3 22:33:28
设置参数P0335,确定电动机的冷却方式。当P0335=0时,为自冷方式;当P0335=1时,GLFR1608T100M-LR为强制冷却方式;当P0335=2时,为自冷和内置风机冷却方式;当P0...[全文]
典型365nmi光刻胶的断面形貌2017-10-30 21:29:21
进入了深紫外时代,如248nm、193nm,由于DNQ胶对此光波段的强烈吸收,使得人UC2835D射光无法穿透光刻胶,这将严重影响分辨率。由于需要更加高的分辨率和灵敏度,化学放大光刻胶(Chem...[全文]
硅片平台的定标工作的目标是在硅片平台运动的范围内2017-10-29 14:02:09
硅片平台的定标工作的目标是在硅片平台运动的范围内,保证以下的精度:VA033PJ-006NQA(1)在平移(X,y)日寸没有转动(R/)或者倾斜(Rx,RΥ);(2)...[全文]
曝光过程当中产生的缺陷分为非浸没式缺陷和浸没式缺陷2017-10-29 13:16:20
曝光过程当中产生的缺陷分为非浸没式缺陷和浸没式缺陷。非浸没式缺陷一般为引入的颗粒。V430MA3A当然还有从掩膜版的缺陷通过成像传递到硅片~L的缺陷。浸没式的缺陷就比较多了。比如由于在光刻胶顶部...[全文]
 修整烙铁头时需要将烙铁头取下2017-10-28 10:39:08
修整烙铁头时需要将烙铁头取下,根据焊接对象的形状和焊点的大小,确定烙铁头的形状和粗细,用锉刀锉掉氧化层。修整过的烙铁头要重新镀锡后才能使用。R10934EC所以当电烙铁较长时间不使用时,应拔掉电...[全文]
电位器可分为线绕电位器和非线绕电位器两大类2017-10-28 10:28:37
根据所用材料不同,电位器可分为线绕电位器和非线绕电位器两大类。R0600001R/H000GFA(1)线绕电位器额定功率大、噪声低、温度稳定性好、寿命长;缺点是成本高...[全文]
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