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多测试结构的Wafer示意图2017-11-19 17:19:58
yield定义的扩展:对于MPW(multipleproductwafer)的wafer而言,在同一套光罩(mask)上,可以摆放不同的产品。如图17.2所示,一套光罩上有a、b、c种不同的产品...[全文]
过程平均值的变化通常可由本准则判定2017-11-19 17:05:39
准则5:连续3点中有2点落在中心线同一侧的Bl×以外,见图16。Ⅱ(e)。HCF4094M013TR过程平均值的变化通常可由本准则判定,它对于变异的增加也较灵敏。这里需要说明的是:3点中的2点可...[全文]
准则2:连续9点落在中心线同一侧2017-11-19 17:03:09
准则2:连续9点落在中心线同一侧,见图16.11(b)。此准则是为了补充准则1而设计的,以改进控制图的灵敏度。出现图16.11(a)准则2的现象,主要是过程平均值减小的缘故。HCF4073M01...[全文]
测量速度通常由所选择的分光仪器2017-11-18 17:28:27
在选择合适的椭偏仪的时候,光谱范围和测量速度通常也是一个需要考虑的重要因素。SC4519ASETRT可选的光谱范围从深紫外到红外,光谱范围的选择通常由应用决定,不同的光谱范围能够提供关于材料的不...[全文]
改变波长或人射角度2017-11-18 17:25:09
改变波长或人射角度,会得到另外一组厚度值,而两组测量所得的厚度可能值中只有一个是相同的,SC4211STRT这就是正确的厚度。对于折射率相近的材料,在接近周期厚度时难以区分其迹线。通过测董不同人...[全文]
封装类型2017-11-16 20:52:43
(l)基本情况:SMI(13um数模混合制程,静电放电(elect∞staticdischa喟eEsD)的防护能力不稳定。人体放电模式(hun1anbodym。delHBM)在⒛00V失效(规范...[全文]
透射电镜样品制备最常用的是机械研磨和离子轰击减薄法2017-11-16 20:13:46
在芯片级失效分析实验室,透射电镜样品制备最常用的是机械研磨和离子轰击减薄法。SC806IMLTRT样品用机械研磨到足够薄的厚度时,再佐以离子减薄技术作进一步的减薄和表面清洁。在FIB没问世及广泛...[全文]
启动环节调试的步骤如下:2017-11-14 21:11:49
启动环节调试的步骤如下:PI74FCT2573TS(1)将检修与工作开关转换在“△作”状态,逆变开关放在“关”位置。(2)按下逆变开关,看直流电压表显示的直流电压是否...[全文]
用于CMP DfM流程产生CMP工艺模型的方法2017-11-12 17:11:39
有很多T艺模型用来精确预测VI'SI丁艺CMP处理后的铜表面形貌1ⅡⅡ.在过去⒛年,SN74LS164MEL工业界和学术界活跃地验证这些模型的精确性。以一个覆盖CMP物理和化学多层级的模型为例,...[全文]
观察输出波形2017-11-9 12:20:02
(1)观察输出波形:H006-10402888利用瞬态分析(TimeDomain),在Probe窗口中得到out点的波形,观察波形是否失真,单击菜单Trace>EvaluateMeasur...[全文]
负反馈对放大器性能会产生一定的影响2017-11-9 12:18:43
负反馈对放大器性能会产生一定的影响:(1)直流负反馈可以稳定静态工作点。H0052AB(2)负反馈可以改变放大器的输入电阻和输出电阻:串联反馈使放大器输入电阻增大;并...[全文]
给出基本放大电路原理图2017-11-9 12:11:44
1.给出基本放大电路原理图。HCPL06392.给出没有调节的放大电路的静态工作点,并列出直流扫描分析后得到的对静态工作点影响较大的元器件参数。3.给出...[全文]
正向阻断峰值电压2017-11-8 12:09:17
正向阻断峰值电压A4989SLDTR-T指在门极开路和正向阻断条件下,可以重复加在晶闸管两端上的正向电压峰值。反向阻断峰值电压【,RRM...[全文]
人体电阻作为三极管的偏置电阻2017-11-8 12:03:50
另外,也可以A4982SLPT利用人体实现偏置,判别发射极E、集电极C管脚。方法是用双手分别握紧两个表笔的金属部分和三极管的发射极E、集电极C管脚,然后用舌尖接触三极管的基极B。人体电阻作为三极...[全文]
65nm和45nm以下湿法处理难点以及HKMG湿法 2017-11-7 21:37:52
65nm和45nm以下湿法处理难点以及HKMG湿法在技术节点从90nm向65nm/45nm转变过程中,由于集成度的变化,对湿法清洗的主要影响是NiSi中Pt的引人,因为Pt相对Ni...[全文]
氧化硅湿法刻蚀2017-11-6 21:34:48
氧化硅的膜层有很多种,生成方式不同,膜层特性也不一样。一般生成方式有炉管和化学气相沉积(CVD)等,S912XEP100J5MAG其膜层密度有较大差异。炉管的膜层应用于制程最初的热氧化层、NP井...[全文]
有机物、金属、颗粒的去除(SC1):2017-11-6 21:19:21
有机物、金属、颗粒的去除(SC1):这一步是在(1)或(1)+(2)的基础上使用,或单独使用,以去除少量吸附的有机物,络合一、二、八副族金属(如Cu,Ag,Au,Cd,Co,Ni等),SCl可氧...[全文]
先进的刻蚀工艺控制 2017-11-5 17:17:34
传统的刻蚀工艺常常依赖于一个固定的工艺程式以及经典的统计过程控制(SPC)。但QT2022-PRG-IC2是,SPC经常无法满足正态分布,它的不确定性可以放宽故障限制,降低了敏感性,使误报警上升...[全文]
栅侧墙刻蚀2017-11-4 11:26:25
如图8.20所示,侧墙是一个用来限定LDr)结和深源/漏结宽度的自对准技术。MC908QY4ACPE它的宽度、高度和物理特性,成为等比例缩小CM(E技术的关键。为了缓解结等比例缩小趋势,并不以结...[全文]
进行剂量补偿是刻蚀后检查(AEI)CDU改善的成熟方法2017-11-2 20:45:04
在显影后检查(ADI)CD,进行剂量补偿是刻蚀后检查(AEI)CDU改善的成熟方法。图8.16(a)显示的是一款65nm产品为了改善多晶硅栅的CDU,进行ADI补偿的过程。M74HC563RM1...[全文]
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