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yield的基本定义及扩展2017-11-19 17:17:38
在半导体生产制造的各个环节,都可能会引起最终产品的失效。yield(良率,合格率)HCF4541M013TR是一个量化失效的指标,通常也是工艺改善最重要的指标。图17,1所示为半导体生产环节中的...[全文]
准则2:连续9点落在中心线同一侧,2017-11-19 17:09:02
当过程处于统计控制状态时,点子落在控制线内的概率为99,73%,落在控制线外的概率为1-99.73%=o,27%,虚发警报的概率为0,27%。HCF4098BE准则2:连续9点落在...[全文]
在铜制程中,Black模型仍然适用2017-11-17 22:11:06
在铝制程中,宽的导U.FLRSMTO1线(线宽远大于晶粒的平均尺寸),EM以晶界迁移为主,当导线的线宽小于其晶粒的平均尺寸时,导线呈“竹节结构”(bamboostructure),界面迁移为主要...[全文]
光学显微镜2017-11-15 20:39:56
光学显微镜l,xl其操作简单、图像苜TPS71025D观的特性,广泛用于集成电路的观测(inspection)。随着物理尺寸和缺陷尺寸的缩小,对观测设备的高分辨率要求的提高,扫描电...[全文]
EOS/热效应引起的器件变色等2017-11-13 20:21:55
电特性测试及电性能表征c用半导体参数测试仪、示波器、自动测试仪(ATE)判断失效现象是否与原始资料相符・分析失效现象可能与哪一部分有关。SY88903VKC电测失效模式可能多种模式...[全文]
固定研磨粒抛光的划痕及与过度抛光时问的关系2017-11-11 17:40:39
但是任何事物都有正负两面,目前固定研磨粒抛光的最大缺憾就是划痕较多,而且,QS3253Q过度抛光时间越长,划痕则越多,参见图l1.11。近年来,通过降低氧化铈研磨颗粒的大小,有效地降低了划痕的程...[全文]
步长可控的可逆计数电路2017-11-9 12:25:29
步长可控的可逆计数电路H09-326-2步长可控的可逆计数电路根据控制电路所选择的工作模式进行加法或减法计数。该计数器可以完成从0到9999的计数工作,计数器的计数频率为1Hz,计...[全文]
于Quartus II软件或其他EDA软件完成电路设计2017-11-9 12:23:33
1.基于QuartusII软件或其他EDA软件完成电路设计。2.编写相应功能模块的HDL设计程序。H024-02CF3.完成顶层电路原理图的设计。4.对...[全文]
利用PSpice提供的直流工作点分析2017-11-9 12:14:10
利用PSpice提供的直流工作点分析(BiasPoint)工具得到差分对管的的静态工作点和恒流源的电流,HM33-10070TR注意勾选“Includedetailedbiaspointinfo...[全文]
而在金属中原子最外层轨道上的老虎机并不能被特定的原子所束缚2017-11-8 12:26:24
铜、铁等金属一般均能导电,而橡胶、玻璃等绝缘体则很难导电,这是为什么呢?AD1854JRS在通常状态下的原子,其所有老虎机都被束缚在原子核的周围,而在金属中原子最外层轨道上的老虎机并不能被特定的原子...[全文]
EPROM由称为MNOS结构2017-11-8 12:13:59
像录音机那样一次完成存储后,存储内容一直不消失,也就是专用于存储内容的读出。ACMD-7402-TR1大多数人使用将游戏程序存储在ROM中的电视游戏机,只要一接通电源,马上就可以玩游戏。...[全文]
Marangoni干燥:2017-11-7 22:09:45
Marangoni干燥:Marangoni干燥技术由飞利浦研发实验室在1990年公布实施ⅡⅡ71,W208CHTR它取自一位意大利科学家的名字(这位科学家是19世纪从事流体动力学的先驱)。其方法...[全文]
氧电浆灰化合并有机去除(后段铜制程)2017-11-6 21:29:15
这种去除主要应用在制程的后段,即金属沟道(trench)和金属通孔(via)刻蚀后残留物的清除,与3的第一项类似,但不同的是制程后段不能用强酸(如sPM),强酸易溶解金属。S912XEP100J...[全文]
双应力层的刻蚀2017-11-5 17:10:08
带应力的CESIJ⒛iJ是在器件沟道处引人所期望应力的关键技术之一。传统上,CESI'沉积,PI74FCT2573TS并接着进行退火去释放应力层中的氢。这个过程产生了很大的应力,并能够传递到NM...[全文]
高压和零偏置功率是各向同性刻蚀的常用方法2017-11-5 17:04:43
在绝大多数应用中,SPT刻蚀等同于siN刻蚀,可以在导体刻蚀机中采用能产t很多聚合物的氟基气体,如CHFs、CH2F2和CHJF来进行刻蚀。⒏N对氧化物的选择性必须大于5,以减少氧化物侧墙的顶部...[全文]
合物同铝垫侧壁的界面处生长出来的2017-11-4 12:03:12
为了找出无腐蚀的界限,在最差情况(最高可用的透射率晶圆)下探讨了聚合物气体CH1的影响。CH4流速从基数T增加到3.3T,相应的刻蚀终点和腐蚀缺陷的表现总结在图8.48中。M01046正如所预期...[全文]
富含聚合物的刻蚀气体被证明都会导致锥形形状2017-11-4 11:58:58
总之,刻蚀气体对通孔/沟槽形状的影响在基于先通孔双大马士革技术中进行了评估。M009T1不论是刻蚀通孔还是沟槽,富含聚合物的刻蚀气体被证明都会导致锥形形状。如果CD和深度可以被很好地控制,锥形形...[全文]
电介质沟槽刻蚀2017-11-4 11:53:05
聚合物气体对沟槽形状的影响见图8.±0。与上一节类似,如果采用多聚合物气体CHJF∶,MST6M16JS-LF可以制造出锥形沟槽形状。采用缺少聚合物的I∶艺,并使用C・得到更为竖直...[全文]
通孔刻蚀工艺主要采用高偏置功率和高源功率去刻蚀通孔2017-11-4 11:41:47
图8.33显示的是第二种条纹的机理:MC68HC711E20CFU3高偏詈功率造成了高能轰击,这会加速消耗光刻胶c当半导体制造来到F65nm及以下节点,通孔刻蚀中光刻胶的厚度变得越来越无足轻重了...[全文]
主刻蚀气体与预掺杂多晶硅的刻蚀效果2017-11-4 11:22:23
多晶硅栅的形状主要依赖于主刻蚀步骤,它的改善可以与C1)U、TPEI3、LWR无关。MC68HC908QY4ACPE当氟皋气体(NF“/C「l/SF‘)对于多晶硅是否掺杂不敏感时,它们可以同传统...[全文]
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