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椭圆偏振光谱仪 2017-11-18 17:15:32
椭圆偏振光是最常兕的偏振光,当两个方向上的电场分董具有可变相位差和不同的振幅时,光矢量末端在垂直于传播方向的平面L描绘出的轨迹为-椭圆,故称为椭圆偏振光。SC1740R椭圆偏光法是...[全文]
透射老虎机2017-11-15 20:55:41
透射老虎机:如果被分析的样品很薄.就会有一部分人射老虎机穿过薄样品而成为透射老虎机。T0610MH透射老虎机显微镜(TEM)I作原理是基于透过样品的透射老虎机带有反映样品特征的信息,经物镜形成一次放大老虎机...[全文]
老虎机像的明暗程度取决于老虎机束的强弱2017-11-15 20:49:08
除了与人射能量有关外,T048-2DCR还与二次老虎机束与试样表面法向夹角有关,三者之间满足以下关系。可见,人射老虎机束与试样夹角越大,二次老虎机产额也越大。这是因为随汐角的增加人射老虎机束在样品表层范...[全文]
检查中频电源整流器输人端三相电源是否正常2017-11-14 21:14:51
故障现象:中频电源控制电源打开后,按启动PMBF4392按钮,中频电源无反应,中频电源控制柜上的整流脉冲电压表、电流表均无指示。故障分析及处理:产生此故障的原因及处理方法如下。...[全文]
oBIRCH/XIVA2017-11-14 20:59:10
新型的发光显微镜配有ΘBIRCH新功能。图14.8是OBIRCH的原理图,利用波长为1340nm的霄射扫描芯片的正面或背面,检测器件电压/阻值或者电流的变化;PMBT2369雷射激发的能量以热的...[全文]
资料收集和分析2017-11-13 20:19:11
(1)制造厂、型号名SN74LS164MEL称、外壳类型、生产日期、批号。(2)用户、使用设备名称、台号、失效部位、累计运行时问。(3)发生失效的环境:调试、运行、振...[全文]
采用研磨粒为氧化硅(SiO)的研磨液2017-11-11 18:42:30
第一步:采用研磨粒为氧化硅(SiO)的研磨液,去除大部分的氧化硅(Si()2)层,留下1Ⅱ000A至~9OQOA的氧化硅(s02)层在多晶硅门(poly)~h。QL4016-3PF100I...[全文]
一种革命性的抛光技术脱颖而出2017-11-10 22:42:56
在这样的情况下,OP262GS一种革命性的抛光技术脱颖而出,固定研磨粒抛光△艺(dAbrasiveS1′ICMP,FASTICMI)),成功地将凹陷降低至(100A(约100um宽的沟槽)。然任...[全文]
给出各功能模块的HDL程序2017-11-9 12:27:28
给出各功能模块的HDL程序。H10.000C1给出各功能模块电路的仿真结果。画出顶层电路的原理图。给出下载至实验箱后电路的调试结果。总结实...[全文]
新建仿真文件2017-11-9 12:07:18
新建仿真文件,“Name”名称取“Param”,“SimulationSetting”窗口中先在“Analysistype”下拉列表框中选择分析类型为“ACSweep”。选项“GeneralSe...[全文]
指传声器灵敏度随声波入射方向而变化的特性2017-11-8 12:23:04
指传声器灵敏度随声波入射方向而变化的特性,分为全向性、单向性、双向性三种。TLV70033DDCR①全向性,是指传声器对来自四面八方的声音都有基本相同的灵敏度,其有效拾音范围为一圆...[全文]
高通滤波2017-11-8 12:18:00
是带有高音扬声器、低音扬声器和中音扬声器的3通道扬声器系统。ACS714LLCTR-30A-T从图中可以看出高音扬声器小,低音扬声器大。只让高音通过的电路使用的是电容器,这种电路叫...[全文]
混合集成电路是在薄膜集成电路2017-11-8 12:12:01
混合集成电路是在薄膜集成电路或厚膜集成电路等的衬底上用印制法或蒸镀法制造电阻器或电容器,再在上面配置半导体集成电路而构成的。ACMD-7402是在薄膜集成电路上配置了半导体集成电路...[全文]
闸流晶体管是将四层以上的P型和N型半导体接合而成的器件2017-11-8 12:08:02
闸流晶体管是将四层以上的P型和N型半导体接合而成的器件,其电极端子有二、三、四个。HEF4013BT三端子的闸流晶体管,也称为可控硅整流器(SCR:silicon-controll...[全文]
FET还具有导通状态或截止状态的开关作用2017-11-8 12:05:25
晶体管的输入阻抗大致为几十kQ,而FET的输入阻抗则为几Mfl以上。A4982SLPTR-T因此,FET具有输入阻抗非常高的特征,用于需要高输入阻抗的测量仪器或电容式话筒等输入部分...[全文]
三极管正常2017-11-8 12:00:44
三极管正常:万用表A2982SLWT的黑表笔接三极管的发射极E,红表笔接基极B,其阻值约为几kfl;黑表笔接集电极C,红表笔接基极B,其阻值也约为几kC);黑表笔接发射极E,红表笔接集电极C,其...[全文]
氢氟酸溶液对氧化硅湿法刻蚀2017-11-6 21:36:10
氧化硅的湿法刻蚀,最常用S912XEP100J5MAL的刻蚀剂氢氟酸溶液,它是借助氢氟酸与氧化硅反应,乍成气体四氟化硅(Si「i)或氟硅酸(H2siFⅡ),对于前段、中段制程用到的氧化硅,低浓度...[全文]
硅湿法刻蚀2017-11-6 21:33:34
硅的湿法刻蚀包括单晶硅刻蚀和多晶硅(PolySi)刻蚀,所用的化学品有碱性和酸性。S912XEP100J5CAG最常用的酸性氧化刻蚀液是硝酸(HN()Ⅱ)和氢氟酸(HF)的混合物,...[全文]
晶片湿法刻蚀技术 2017-11-6 21:30:19
湿法刻蚀是一种去除膜层厚度的古老技术,被广泛应用于很多行业,由于近代半导体制造业的蓬勃发展,S912XEP100J4CAG这种原本宏观刻蚀技术被推广到IC制造业,逐渐发展成为独特的微观刻蚀技术,...[全文]
常用的方法是大家熟知的RCA清洗2017-11-6 21:17:32
常用的方法是大家熟知的RCA清洗,它是由RCΛ公司(美国广播公司)的Kern和Puotincn于1970年发布,S912XDP512J1CAG一直沿用至今。其特点有两步:①标准清洗液1(SC1)...[全文]
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